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晶圓業務

鍍膜片



Blanket Film wafers(膜付きウェーハ)

可提供高質量、高附加值產品。

膜種分類膜種成膜方法
OxideTh-SiO2Thermal
Low-Particle Th-SiO2*Thermal
PE-SiO2PE-CVD
PE-TEOSPE-CVD
LP-CVD TEOSPE-CVD
HDPPE-CVD
USGPE-CVD
PSGCVD
BPSGCVD
RTOAnneal
SiliconDoped/non Doped PolyLP-CVD
AmorphousPE-CVD
NitrideLP-CVD SINLP-CVD
PE-CVD SINPE-CVD
Photo
Resists
I-LineCoating
KrFCoating
ArFCoating
Low-KBDCVD
BDⅡXCVD
AURORACVD
CORALCVD
MetalTa,TaNSpatter
Ti,TiNSpatter
WSpatter
CVD
CrSpatter
CuSpatter, EP
Al,Al-Cu,Al-SiSpatter
PtSpatter
NiSpatter
RuSpatter
PdSpatter
AuSpatter
CoSpatter
EtcSpatte

*除上述薄膜外,還可提供其他類型的薄膜。 請注明所需薄膜厚度。

Low Particle Thermal Oxide Wafer

Low Particle Thermal Oxide Wafer(低欠陥熱酸化膜ウェーハ)

パーティクル?金屬汚染をコントロールした最先端の酸化爐にて成膜した低欠陥熱酸化膜ウェーハをご提案いたします。

Atomic Layer Deposition(ALD膜)

Atomic Layer Deposition(ALD膜)

次世代ゲート材料

  •  ALD High-Kゲート絶縁膜
    ロジック…HfSiO, ZrSiO, etc
    メモリー…HfO, ZrO, AlO, HfSiO, TiO, etc

  •  ALD 金屬電極
    ロジック…Ti, TiN, Ta, TaN, TiSiN, TaSiN,TaSiN, HfN, HfSiN,etc
    メモリー…Ti, TiN, Ta, TaN, TiSiN, TaSiN,etc

*上記以外の膜種も対応可能です。

Ion Implantation Wafer(イオン注入ウェーハ)

Ion Implantation Wafer(イオン注入ウェーハ)

  • イオン種:B+,BF2+,P+,As+,In+,等

  • ドーズ量:1011~1015 ions/cm2

  • 加速エネルギー:5Kev~4.6Mev

  • RTA処理






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