晶圓業務
鍍膜片
可提供高質量、高附加值產品。
膜種分類 | 膜種 | 成膜方法 |
---|---|---|
Oxide | Th-SiO2 | Thermal |
Low-Particle Th-SiO2* | Thermal | |
PE-SiO2 | PE-CVD | |
PE-TEOS | PE-CVD | |
LP-CVD TEOS | PE-CVD | |
HDP | PE-CVD | |
USG | PE-CVD | |
PSG | CVD | |
BPSG | CVD | |
RTO | Anneal | |
Silicon | Doped/non Doped Poly | LP-CVD |
Amorphous | PE-CVD | |
Nitride | LP-CVD SIN | LP-CVD |
PE-CVD SIN | PE-CVD | |
Photo Resists | I-Line | Coating |
KrF | Coating | |
ArF | Coating | |
Low-K | BD | CVD |
BDⅡX | CVD | |
AURORA | CVD | |
CORAL | CVD | |
Metal | Ta,TaN | Spatter |
Ti,TiN | Spatter | |
W | Spatter CVD | |
Cr | Spatter | |
Cu | Spatter, EP | |
Al,Al-Cu,Al-Si | Spatter | |
Pt | Spatter | |
Ni | Spatter | |
Ru | Spatter | |
Pd | Spatter | |
Au | Spatter | |
Co | Spatter | |
Etc | Spatte |
*除上述薄膜外,還可提供其他類型的薄膜。 請注明所需薄膜厚度。
Low Particle Thermal Oxide Wafer
パーティクル?金屬汚染をコントロールした最先端の酸化爐にて成膜した低欠陥熱酸化膜ウェーハをご提案いたします。
Atomic Layer Deposition(ALD膜)
次世代ゲート材料
ALD High-Kゲート絶縁膜
ロジック…HfSiO, ZrSiO, etc
メモリー…HfO, ZrO, AlO, HfSiO, TiO, etcALD 金屬電極
ロジック…Ti, TiN, Ta, TaN, TiSiN, TaSiN,TaSiN, HfN, HfSiN,etc
メモリー…Ti, TiN, Ta, TaN, TiSiN, TaSiN,etc
*上記以外の膜種も対応可能です。
Ion Implantation Wafer(イオン注入ウェーハ)
イオン種:B+,BF2+,P+,As+,In+,等
ドーズ量:1011~1015 ions/cm2
加速エネルギー:5Kev~4.6Mev
RTA処理